|
N
п/п |
Наименование работы,
ее вид (монография, брошюра, статья и др.) |
Форма работы (печатная, рукописная, на машинном носителе) |
Выходные данные |
Объем в п. л. или страницах |
Авторы |
|
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
|
|
2010 г. |
|
1. |
Выращивание эпитаксиальных нитевидных кристаллов ткремния без образования конусовидного начального участка (статья) |
Печатная |
Неорганические материалы, 2010. Т. 46. N9. |
0,4 п.л. |
Небольсин В.А.
Дунаев А.И.
Зотова Е.В., Завалишин М.А. |
|
2009 г. |
|
1 |
Учет различных газодинамических факторов в кинетике роста одномерных кристаллов кремния (статья) |
Печатная |
Вестник ВГТУ, 2009. Т.5.N12.С.4-9 |
0,35 п.л. |
Долгачев А.А., Дунаев А.И.,
ЗавалишинМ.А.,
Козенков О.Д.,
Небольсин В.А.,
Щетинин А.А., |
|
2008 г. |
|
1. |
Механизм квазиодномерного роста нитевидных кристаллов Si и GaP из газовой фазы (статья) |
Печатная |
Неорганические материалы, 2008. Т. 44. N10 С.1159-1167. |
0,6 п.л. |
Небольсин В.А.
Щетинин А.А. |
|
2. |
Влияние линейного натяжения границы контакта пар-жидкость-кристалл на рост нанокристаллов кремния (статья) |
Печатная |
Неорганические материалы, 2008. Т. 44. N6 С.563-566. |
0,25 п.л. |
Небольсин В.А.
Дунаев А.И.
Завалишин М.А. |
|
3. |
Об общих закономерностях роста микро- и наноразмерных нитевидных кристаллов кремния (статья). |
Печатная |
Известия РАН. Сер. физическая. 2008, Т. 72, N9, с. 1285-1288; |
0,25 п.л. |
Небольсин В.А., Долгачев А.А., Дунаев А.И., Завалишин М.А. |
|
4 |
Способ получения регулярных систем наноразмерных нитевидных кристаллов кремния (патент) |
Печатная |
Патент RU N2336224. Зарегистрировано в Гос. реестре изобретений 20.10.2008 г. |
0,2 п.л. |
Небольсин В.А.
Щетинин А.А.,
Дунаев А.И.
Завалишин М.А. |
|
5 |
Устройство для регистрации коэффициента неидеальности вольт-амперных характеристик полупроводниковых изделий |
Печатная |
Патент RU N2332678. Зарегистрировано в Гос. реестре изобретений 27 .08.2008 г. |
0,2 п.л |
Горлов М.И.
Щетинин А.А.
Небольсин В.А.
Жарких А.П. |
|
6 |
Капельный механизм квазиодномерного роста нитевидных кристаллов полупроводников из газовой фазы (доклад)
|
Печатная |
Сборник докладов научно-технологических секций,
Международный форум по нанотехнологиям, Москва 3-5.12., 2008 г., том 1, стр.72-78. |
0,4 п.л. |
Небольсин В.А. |
